전체 글43 [반도체 8대 공정] 알루미늄 배선에서 구리 배선으로 넘어간 배경 [반도체 8대 공정] 구리 배선 공정 지난 글을 통해 반도체 공정 Beol 단 배선 공정에서 초기 알루미늄 배선을 사용하였지만, 소자 미세화에 따라 구리 배선으로 전환되었음을 알 수 있었습니다. 좀 더 구체적으로 알루미늄 배선에서 구리 배선으로 넘어간 배경을 주제로 공부해 보겠습니다. 알루미늄 배선에서 구리 배선으로 넘어간 배경 반도체 소자는 설계 기술이 발전하며 동일 Wafer size 내 더 많은 chip을 구현해 내기 위해 갈수록 미세화되었습니다. 그에 따라 Beol 단 배선공정에서도 배선의 단면적이 줄어들게 됩니다. 쉽게 생각하여 전기 도선을 생각하자면 전기가 흐를 수 있는 단면적이 감소한 것이며, 이는 저항이 증가하였음을 의미합니다. 저항이 증가하면 전류는 감소하게 되며, 이 때문에 신호 전달에.. 2023. 2. 14. [반도체 8대 공정] 알루미늄(AL) 배선 공정 [반도체 8대 공정] 알루미늄 배선 공정 반도체 공정은 크게 FEOL, BEOL 즉 전 단계 공정과 후 단계 공정으로 나누어져 있습니다. FEOL에서는 설계하고자 하는 반도체 소자가 만들어지며, BEOL에서는 FEOL에서 만들어진 소자에 금속 도선을 연결합니다. BEOL단에서는 초기 알루미늄(AL)을 사용하였지만, 몇 가지 문제점으로 인해 구리(CU)를 배선 금속으로 사용하게 되었습니다. 알루미늄(AL) 배선 BEOL 공정에서 금속 도선 연결 시 초기에 알루미늄을 주로 사용하였습니다. 알루미늄은 금속 중 4번째로 비저항이 낮은 물질입니다. 비저항의 사전적 정의는 어떤 물질이 전류의 흐름에 얼마나 거스르는지를 나타내는 물리량을 의미합니다. 즉 비저항이 낮다는 뜻은 전류의 흐름에 거스름이 적음, 즉 전류를 .. 2023. 2. 12. [반도체 8대 공정] CMP공정의 원리 및 종류 [반도체 8대 공정] CMP공정의 원리 및 종류 CMP공정은 Chemical Mechanical Polishing의 약자로 물리적, 화학적으로 Wafer 표면을 평탄화해주는 공정입니다. Wafer 표면을 왜 평탄화해줘야 할까요? 박막에 단차가 생기게 된다면 후속 Photolithography 공정에서 Photoresist Coating 시 PR이 평평하게 Coating 되지 않습니다. 이에 따라 Photolithography 공정에서 중요 Factor인 Depth Of Focus 마진이 줄어들게 됩니다. 왜 DOF마진이 줄어들까요? 사진에 비유해 보겠습니다. 사진을 찍을 때 어떤 대상을 선명하게 보기 위해서 사진기를 옮겨가며 가장 선명하게 찍을 수 있는 지점에서 사진을 찍게 됩니다. 사진을 찍는다고 똑같.. 2023. 2. 4. 반도체 회사 소개_SK 하이닉스 반도체 회사 소개_SK 하이닉스 반도체 회사로 우리나라 삼성전자와 함께 거론되는, 빠질 수 없는 회사인 SK 하이닉스를 소개해 드리려고 합니다. SK 하이닉스는 삼성전자와 마찬가지로 종합반도체(Integrated Device Manufacturer) 회사입니다. 종합반도체 회사란 반도체를 설계할 뿐 아니라 생산, 판매까지 아우르는 것을 의미합니다. 종합 반도체 회사가 어려운 이유는 막대한 반도체 설비 및 부지 투자비용입니다. 한 예로 Photolithography 공정 설비인 ASML회사의 EUV 장비 1대 가격은 2천억까지 합니다. 그래서 종합 반도체 회사는 반도체 강국인 한국에서도 몇 없으며 삼성전자와 SK하이닉스가 대표입니다. SK 하이닉스 주력분야 SK 하이닉스의 주력분야는 D램과 Nand Fla.. 2023. 2. 3. 이전 1 2 3 4 5 6 7 8 ··· 11 다음
