반도체 8대공정/Etch5 [반도체 8대 공정] DC Plasma 생성 원리 [반도체 8대 공정] DC Plasma 생성 원리 DC Plasma는 Plasma를 발생시키는 방법 중 하나로, Dry Etch 공정에서도 사용되지만, 스퍼터링 공정 등 박막 증착 공정에서도 사용됩니다. DC Plasma DC 플라즈마를 이해하기 위해 우선 두 기판에 강한 전압을 가했다고 가정해 보겠습니다. 위 그림 상 오른쪽에 (+) 전압을, 왼쪽은 (-) 전압을 가해주었다고 가정해 보겠습니다. 강한 전압 즉 Energy를 가하면, Chamber 내 위와 같이 Plasma 영역이 가운데 형성이 되며, 왼쪽에는 음극 Sheath 영역, 오른쪽에는 양극 Sheath 영역이 생성됩니다. 양극 쉬스(Anode sheath) 양극 쉬스 영역이 생성되는 원리부터 알아보겠습니다. 먼저 아셔야 할 개념은 전자는 이온.. 2023. 2. 3. [반도체 8대 공정] Dry Etch 평가 항목 및 주요 부가 기술(하드마스크) [반도체 8대 공정] Dry Etch의 평가 항목 및 주요 부가 기술(하드마스크) Dry Etch의 평가 항목 (1) Etch Rate Etch Rate, 한국말로 식각률을 의미합니다. 식각률이란 일정 시간 동안 박막의 두께를 식각 시간으로 나눈 값입니다. 즉 식각률이 높다는 건 일정 시간에 더 많은 박막을 식각 할 수 있음을 의미합니다. 이는 플라즈마 가스, 압력, 박막의 종류, 온도 등 다양한 변수에 따라 식각률이 달라질 수 있습니다. (2) Selectivity 두 번째는 선택비입니다. 식각 과정에서 식각하는 박막은 서로 다른 물질일 것입니다. 이때 이 물질 간에 식각율의 비율을 의미합니다. Etch 공정 전에 나오는 공정은 Photo 공정으로 PR이 patterning 된 상태로 Etch 공정이 .. 2023. 2. 2. [반도체 8대공정] 2-3 Etch_Dry etch 반도체 8대공정 Etch Dry etch 저번 글에서 반도체 공정에서 플라즈마가 어떻게 생성되고 유지되는지에 대해 공부했습니다. 이번에는 이 플라즈마를 사용하는 Dry etch에 대해 공부해 보겠습니다. Dry etch 2-1 Etch 글에서 Wet etch, 즉 용액을 사용하여 식각을 하는 것을 배웠습니다. Wet etch는 사실 화학적으로 깊게 들어가지 않는 이상 간단합니다. 용액을 사용해서 패턴을 깎아 내는 게 전부이기 때문입니다. Wet etch의 단점은 등방성(isotropic)으로 미세공정에는 부적합하다고 공부했습니다. 현재 Dry etch를 많이 사용하는 이유 또한 미세 패턴을 구현하기 위함입니다. Dry etch란? 건식 식각이란 진공상태의 chamber 내 gas를 공급하고, 에너지를 가.. 2021. 1. 14. [반도체 8대공정] 2-2 Etch_플라즈마 반도체 8대공정 Etch Plasma 2-1에서 wet etch를 공부했고 dry etch를 들어가기 앞서 dry etch공정에서 사용되는 plasma에 대해 공부해보려고 합니다. plasma는 반도체 8대공정 대부분의 공정에 쓰이고 특히 dry etch에 사용되기 때문에 이해가 선행되어야 합니다. Plasma란? 위 그림과 같이 고체에 열을 가하면 분자 간 결합력이 낮아져 액체, 기체로 변하게 됩니다. 거기서 더 큰 수천 도의 열을 가하면 양이온, 음이온, 전자. 원자, 분자, Radical(활성종), 광자 등 다양한 입자가 있는 상태로 변화하게 됩니다. 이러한 입자가 모여 전기적으로 중성인 상태를 플라즈마 상태라고 합니다. *Radicla(라디칼) : 활성종이라고 하며 순간적으로 결합이 분리되어 반응.. 2021. 1. 12. 이전 1 2 다음
