반도체 8대공정/photolithography11 1-11 photolithography(포토리소그래피) 공정_Alignment(정렬) 1-11 photolithography(포토리소그래피) 공정_Alignment(정렬) photolithography공정의 마지막 글인 Alignment, 정렬에 대해 알아보겠습니다. *Align에 관한 내용은 정보가 적어 저도 논문을 보고 공부한 터라 부족할 수 있습니다. 양해 부탁드립니다. Alignment는 Expose 하기 전 시행됩니다. Si Wafer위에 여러 layer(층)들이 쌓이게 됩니다. 패턴 층들은 내가 원하는 위치에 쌓여야 합니다. 패턴을 미리 설정한 곳에 Expose 시켜 여러 layer들이 수직방향으로 오차 없이 쌓이게 하는 과정을 Align(정렬)이라고 합니다. 그렇다면 정렬은 어떻게 할까요? 저번에 썼던 이미지를 다시 가져와 봤습니다. 저 작은 네모가 chip이고 큰 네모가 s.. 2021. 1. 6. 1-10 photolithography(포토리소그래피) 공정_Pellicle, PR소재 1-10 photolithography(포토리소그래피) 공정_Pellicle, Photoresist(포토레지스트) 소재 이제 포토공정과정은 한 번씩 훑었으니 그동안 못 다뤄봤던 주제들을 다뤄보려고 합니다. *제가 전자과 전공이므로 화학, 소재 쪽인 PR 소재는 많이 부족합니다. 얕게 알아가실 분들만 보시는 걸 추천드립니다. Photoresist(포토레지스트) 소재 앞의 글에서는 Positive PR(양성 PR), Negative PR(음성 PR)만을 구분했습니다. 실제로는 사용하는 광원에 따라 PR 소재가 달라집니다. UV(Ultra Violet : 자외선) : g-line(436nm) - i-line(356nm) DUV(Deep UV) : KrF(248nm) - ArF(193nm) UV용 Photore.. 2021. 1. 5. 1-9 photolithography(포토리소그래피) 공정_Develop(현상), Hard Bake, ADI, Rework photolithography(포토리소그래피) 공정_Develop(현상), Hard Bake, ADI, Rework photolithography(포토리소그래피) 공정 순서 HMDS도포(wafer prime) - PR Coating - soft bake - Expose - PEB(Post Exposure Bake) - Develop - hard bake 이번 시간에는 Develop, hard bake, ADI, Rework에 대해 알아보겠습니다. Develop Develop(현상) 공정이란 현상액을 사용하여 빛에 화학반응한 PR을 날려 후속공정(Etch or Ion implant)이 진행되도록 해주는 공정입니다. Positive PR이라면 빛을 받은 부분이 현상액으로 제거되고 Negative PR이라면 .. 2021. 1. 4. 1-8 photolithography(포토리소그래피) 공정_PEB photolithography(포토리소그래피) 공정_PEB, ARC photolithography(포토리소그래피) 공정 순서 HMDS도포(wafer prime) - PR Coating - soft bake - Expose - PEB(Post Exposure Bake) - Develop - hard bake PEB는 Post Exposure Bake의 약자로 노광 후 열처리를 하는 공정입니다. 만약 PEB를 진행하지 않는다면 노광 후 Develop시 정상파 효과(Standing Wave)로 인해 PR옆면이 주름이 진 상태로 나오게 됩니다. 이를 방지하고자 PEB를 100도 근처에서 수십 초간 진행하게 됩니다. 정확한 온도와 시간은 PR 소재와 회사마다 다를 것입니다. 정상파 효과(Standing Wave).. 2021. 1. 3. 이전 1 2 3 다음
