반도체 8대공정/photolithography11 1-7 Expose(3)_해상도 개선 기술 1-7 Expose(3)_해상도 개선 기술 CMP, 단파장, immersion(액침노광), PSM, OPC 저번 글에서 Trade-off관계에 있는 Resoluton, DOF에 대해 공부했습니다. 이번에는 이러한 해상도를 개선하는 기술들을 공부해 보겠습니다. Resolution = k1*(파장/NA), DOF = k2*(파장/NA^2) Resolution은 작을수록 좋고, DOF는 클수록 좋으므로 이 공식 관점에서 살펴보겠습니다. CMP CMP는 반도체 8대공정 중 하나입니다. Chemical Mechanical Polishing의 약자로 wafer위 울퉁불퉁한 표면을 평평하게 해주는 기술입니다. 이게 왜 Expose에 나왔을까요? DOF와 관련이 있기 때문입니다. DOF는 wafer의 수직방향으로의 해.. 2021. 1. 2. 1-6 Expose(2)_NA, DOF, Resolution photolithography(포토리소그래피) 공정_Expose(2) Expose(2)_NA, DOF, Resolution 바로 이전 글에서 Expose공정 시 렌즈의 크기가 Na와 관련되어 있고 더 큰 렌즈를 사용해야 한다고 했습니다. 그 이유에 대해 알아보겠습니다. 본격적으로 들어가기 전 빛의 성질인 회절에 대해 알아보겠습니다. 기초물리학의 Young의 이중슬릿 실험은 아래와 같습니다. 위 그림에서 monochromatic planar wave가 빛, screen with two slit이 Mask. optical screen이 Wafer라고 생각해 보겠습니다. *실제 Mask는 저거보다 틈이 매우 많은 복잡한 회로로 구성이 되어 있습니다. 빛이 Mask를 통과할 때 Cr으로 막은 부분을 제외한 틈에.. 2021. 1. 1. 1-5 photolithography(포토리소그래피) 공정_Expose(1) photolithography(포토리소그래피) 공정_Expose(1) photolithography(포토리소그래피) 공정 순서 HMDS도포(wafer prime) - PR Coating - soft bake - Expose - PEB(Post Exposure Bake) - Develop - hard bake Expose는 Mask를 통과한 빛이 PR위로 전사되어 회로 패턴을 새기는 공정입니다. Mask 또는 Reticle는 반도체 wafer위에 쌓이는 한 layer에 해당하는 회로 정보를 담고 있습니다. 현재는 Mask를 통과한 빛이 wafer위에 4:1로 축소되어 노광되는 4:1 Mask가 주류를 이루고 있습니다. *Mask, Reticle : 요즘은 용어 구분 없이 사용하고 있습니다. 회로 설계자가 .. 2020. 12. 31. 1-4 photolithography(포토리소그래피) 공정_Soft Bake photolithography(포토리소그래피) 공정_soft bake photolithography(포토리소그래피) 공정 순서 HMDS도포(wafer prime) - PR Coating - soft bake - Expose - PEB(Post Exposer Bake) - Develop - hard bake Soft bake 공정은 PR을 wafer 표면 위에 도포해준 뒤 PR 내 solvent를 열을 가해 증발시켜 wafer표면과 PR과의 접착력을 향상시키기 위한 공정입니다. 약 90도~100도 정도의 열에서 wafer를 가열해 PR 내 있는 20~30%의 Solvent를 약 5% 정도까지 제거하는 단계입니다. 이를 통해 PR의 밀도를 높여 Wafer와 접착력을 강화시킬 수 있습니다. Soft bake공.. 2020. 12. 30. 이전 1 2 3 다음
