반도체 8대공정20 [반도체 8대 공정] CMP 장비 및 주요 변수 [반도체 8대 공정] CMP 장비 및 자재 지난 글을 통해 CMP 공정에는 산화막 CMP, 금속 CMP에 대해 공부했으며, 그와 연결된 알루미늄 배선과 구리 배선에 관해서도 공부했습니다. 이번 글을 통해 CMP 장비 구조 및 주요 변수에 대해 알아보겠습니다. CMP 장비와 자재 CMP 장비는 아래와 같이 구성되어 있습니다. 플래튼은 몸체를 의미하며, 그 위에는 사포 역할을 하는 패드가 부착되어 있습니다. Wafer는 아래 그림 상 캐리어 아래 Wafer 표면이 아래로 향하게 붙어있습니다. 이때 캐리어는 플래톤과 함께 회전하며 사포 역할을 하는 연마패드에 갈리며 평탄화 공정이 이루어집니다. Carrier : 플래튼과 같이 회전하며, Wafer를 수직으로 누릅니다. Dispenser : 슬러리를 공급하는 장.. 2023. 2. 15. [반도체 8대 공정] 알루미늄 배선에서 구리 배선으로 넘어간 배경 [반도체 8대 공정] 구리 배선 공정 지난 글을 통해 반도체 공정 Beol 단 배선 공정에서 초기 알루미늄 배선을 사용하였지만, 소자 미세화에 따라 구리 배선으로 전환되었음을 알 수 있었습니다. 좀 더 구체적으로 알루미늄 배선에서 구리 배선으로 넘어간 배경을 주제로 공부해 보겠습니다. 알루미늄 배선에서 구리 배선으로 넘어간 배경 반도체 소자는 설계 기술이 발전하며 동일 Wafer size 내 더 많은 chip을 구현해 내기 위해 갈수록 미세화되었습니다. 그에 따라 Beol 단 배선공정에서도 배선의 단면적이 줄어들게 됩니다. 쉽게 생각하여 전기 도선을 생각하자면 전기가 흐를 수 있는 단면적이 감소한 것이며, 이는 저항이 증가하였음을 의미합니다. 저항이 증가하면 전류는 감소하게 되며, 이 때문에 신호 전달에.. 2023. 2. 14. [반도체 8대 공정] 알루미늄(AL) 배선 공정 [반도체 8대 공정] 알루미늄 배선 공정 반도체 공정은 크게 FEOL, BEOL 즉 전 단계 공정과 후 단계 공정으로 나누어져 있습니다. FEOL에서는 설계하고자 하는 반도체 소자가 만들어지며, BEOL에서는 FEOL에서 만들어진 소자에 금속 도선을 연결합니다. BEOL단에서는 초기 알루미늄(AL)을 사용하였지만, 몇 가지 문제점으로 인해 구리(CU)를 배선 금속으로 사용하게 되었습니다. 알루미늄(AL) 배선 BEOL 공정에서 금속 도선 연결 시 초기에 알루미늄을 주로 사용하였습니다. 알루미늄은 금속 중 4번째로 비저항이 낮은 물질입니다. 비저항의 사전적 정의는 어떤 물질이 전류의 흐름에 얼마나 거스르는지를 나타내는 물리량을 의미합니다. 즉 비저항이 낮다는 뜻은 전류의 흐름에 거스름이 적음, 즉 전류를 .. 2023. 2. 12. [반도체 8대 공정] CMP공정의 원리 및 종류 [반도체 8대 공정] CMP공정의 원리 및 종류 CMP공정은 Chemical Mechanical Polishing의 약자로 물리적, 화학적으로 Wafer 표면을 평탄화해주는 공정입니다. Wafer 표면을 왜 평탄화해줘야 할까요? 박막에 단차가 생기게 된다면 후속 Photolithography 공정에서 Photoresist Coating 시 PR이 평평하게 Coating 되지 않습니다. 이에 따라 Photolithography 공정에서 중요 Factor인 Depth Of Focus 마진이 줄어들게 됩니다. 왜 DOF마진이 줄어들까요? 사진에 비유해 보겠습니다. 사진을 찍을 때 어떤 대상을 선명하게 보기 위해서 사진기를 옮겨가며 가장 선명하게 찍을 수 있는 지점에서 사진을 찍게 됩니다. 사진을 찍는다고 똑같.. 2023. 2. 4. 이전 1 2 3 4 5 다음
