반도체 8대공정20 [반도체 8대공정] 2-1 Etch_wet etch 반도체 8대공정 Etch 습식 식각 Etch공정은 주로 Photolithography공정을 마치고 PR을 Barrier Mask로 사용해 패턴을 새길 때 주로 사용됩니다. 그래서 Photolithography + Etch를 합해서 Patterning공정이라고 부르기도 합니다. Etch공정에는 크게 두 종류로 나뉩니다. Wet etch(습식 식각), Dry etch(건식 식각)입니다. 둘 다 모두 PR을 방어막으로 사용해 패턴을 새기는 건 같지만 방식이 다릅니다. Wet etch(습식 식각) 습식 식각은 액체의 화학 물질을 사용하여 박막을 식각 하는 공정입니다. 저 노란색이 포토레지스트(PR)이고, 저 모양으로 Photolithography공정을 통해 만들어 준 모습입니다. PR을 방어막으로 화학 약품을 .. 2021. 1. 8. 1-11 photolithography(포토리소그래피) 공정_Alignment(정렬) 1-11 photolithography(포토리소그래피) 공정_Alignment(정렬) photolithography공정의 마지막 글인 Alignment, 정렬에 대해 알아보겠습니다. *Align에 관한 내용은 정보가 적어 저도 논문을 보고 공부한 터라 부족할 수 있습니다. 양해 부탁드립니다. Alignment는 Expose 하기 전 시행됩니다. Si Wafer위에 여러 layer(층)들이 쌓이게 됩니다. 패턴 층들은 내가 원하는 위치에 쌓여야 합니다. 패턴을 미리 설정한 곳에 Expose 시켜 여러 layer들이 수직방향으로 오차 없이 쌓이게 하는 과정을 Align(정렬)이라고 합니다. 그렇다면 정렬은 어떻게 할까요? 저번에 썼던 이미지를 다시 가져와 봤습니다. 저 작은 네모가 chip이고 큰 네모가 s.. 2021. 1. 6. 1-10 photolithography(포토리소그래피) 공정_Pellicle, PR소재 1-10 photolithography(포토리소그래피) 공정_Pellicle, Photoresist(포토레지스트) 소재 이제 포토공정과정은 한 번씩 훑었으니 그동안 못 다뤄봤던 주제들을 다뤄보려고 합니다. *제가 전자과 전공이므로 화학, 소재 쪽인 PR 소재는 많이 부족합니다. 얕게 알아가실 분들만 보시는 걸 추천드립니다. Photoresist(포토레지스트) 소재 앞의 글에서는 Positive PR(양성 PR), Negative PR(음성 PR)만을 구분했습니다. 실제로는 사용하는 광원에 따라 PR 소재가 달라집니다. UV(Ultra Violet : 자외선) : g-line(436nm) - i-line(356nm) DUV(Deep UV) : KrF(248nm) - ArF(193nm) UV용 Photore.. 2021. 1. 5. 1-9 photolithography(포토리소그래피) 공정_Develop(현상), Hard Bake, ADI, Rework photolithography(포토리소그래피) 공정_Develop(현상), Hard Bake, ADI, Rework photolithography(포토리소그래피) 공정 순서 HMDS도포(wafer prime) - PR Coating - soft bake - Expose - PEB(Post Exposure Bake) - Develop - hard bake 이번 시간에는 Develop, hard bake, ADI, Rework에 대해 알아보겠습니다. Develop Develop(현상) 공정이란 현상액을 사용하여 빛에 화학반응한 PR을 날려 후속공정(Etch or Ion implant)이 진행되도록 해주는 공정입니다. Positive PR이라면 빛을 받은 부분이 현상액으로 제거되고 Negative PR이라면 .. 2021. 1. 4. 이전 1 2 3 4 5 다음
