반도체 8대공정20 1-4 photolithography(포토리소그래피) 공정_Soft Bake photolithography(포토리소그래피) 공정_soft bake photolithography(포토리소그래피) 공정 순서 HMDS도포(wafer prime) - PR Coating - soft bake - Expose - PEB(Post Exposer Bake) - Develop - hard bake Soft bake 공정은 PR을 wafer 표면 위에 도포해준 뒤 PR 내 solvent를 열을 가해 증발시켜 wafer표면과 PR과의 접착력을 향상시키기 위한 공정입니다. 약 90도~100도 정도의 열에서 wafer를 가열해 PR 내 있는 20~30%의 Solvent를 약 5% 정도까지 제거하는 단계입니다. 이를 통해 PR의 밀도를 높여 Wafer와 접착력을 강화시킬 수 있습니다. Soft bake공.. 2020. 12. 30. 1-3 photolithography(포토리소그래피) 공정_PR Coating photolithography(포토리소그래피) 공정_PR Coating HMDS도포(wafer prime) - PR Coating - soft bake - Expose - PEB(Post Exposer Bake) - Develop - hard bake PR Coating은 wafer 위에 Photoresist를 도포하는 공정입니다. 노즐로 wafer위에 PR을 분사한 뒤 wafer를 회전시켜 PR을 wafer위에 고르게 도포하는 공정입니다. Key Point (1) 회전 속도 PR을 wafer표면 위에 노즐로 분사한 뒤 바로 빠른 속도로 회전시키면 PR이 wafer표면 위에 잘 붙기도 전에 전부 wafer 밖으로 흩뿌려집니다. PR도 나름 값이 있는 소재이므로 버려지는 양을 최소화하기 위해 통상 회전 속.. 2020. 12. 23. 1-2 photolithography(포토리소그래피) 공정_HMDS photolithography(포토리소그래피) 공정_HMDS HMDS도포(wafer prime) - PR Coating - soft bake - Expose - PEB(Post Exposer Bake) - Develop - hard bake HMDS도포 HMDS도포는 wafer와 PR의 접착력을 높여주기 위해 해주는 공정입니다. 그 과정을 살펴보기 전 알아야 할 사전 지식을 알아보겠습니다. Contact Angle contact angle은 접촉각을 의미합니다. wafer는 Silicon이며 위 그림과 같이 접촉각이 27.3도로 작습니다. 이 각도는 물과 표면 사이 표면장력에 의해 결정되며 Contact angle이 크다 -> 소수성(hydrophobic), 무극성 Contact angle이 작다 -> .. 2020. 12. 22. 1-1 photolithography(포토리소그래피) 공정_순서 photolithography(포토리소그래피) 공정 photolithography 공정은 파장이 짧은 빛을 mask에 통과시켜 wafer위에 회로를 새기는 공정입니다. *mask : 반도체 한 layer(층)에 해당하는 회로 정보가 새겨진 기판 즉 wafer위에 수십 개의 layer가 쌓일 텐데 한 layer에 해당하는 회로를 새기고, 그 위층에 또 새기고 하며 모든 layer에 photolithography공정이 사용이 되므로 아주 중요한 공정입니다. photolithography공정순서 (1) Apply photoresist(줄여서 PR) HMDS도포(wafer prime) - PR Coating - soft bake 먼저 wafer위에 PR(감광액)을 Coating(도포)하는 공정입니다. 앞에 HM.. 2020. 12. 21. 이전 1 2 3 4 5 다음
