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1-9 photolithography(포토리소그래피) 공정_Develop(현상), Hard Bake, ADI, Rework photolithography(포토리소그래피) 공정_Develop(현상), Hard Bake, ADI, Rework photolithography(포토리소그래피) 공정 순서 HMDS도포(wafer prime) - PR Coating - soft bake - Expose - PEB(Post Exposure Bake) - Develop - hard bake 이번 시간에는 Develop, hard bake, ADI, Rework에 대해 알아보겠습니다. Develop Develop(현상) 공정이란 현상액을 사용하여 빛에 화학반응한 PR을 날려 후속공정(Etch or Ion implant)이 진행되도록 해주는 공정입니다. Positive PR이라면 빛을 받은 부분이 현상액으로 제거되고 Negative PR이라면 .. 2021. 1. 4.
1-8 photolithography(포토리소그래피) 공정_PEB photolithography(포토리소그래피) 공정_PEB, ARC photolithography(포토리소그래피) 공정 순서 HMDS도포(wafer prime) - PR Coating - soft bake - Expose - PEB(Post Exposure Bake) - Develop - hard bake PEB는 Post Exposure Bake의 약자로 노광 후 열처리를 하는 공정입니다. 만약 PEB를 진행하지 않는다면 노광 후 Develop시 정상파 효과(Standing Wave)로 인해 PR옆면이 주름이 진 상태로 나오게 됩니다. 이를 방지하고자 PEB를 100도 근처에서 수십 초간 진행하게 됩니다. 정확한 온도와 시간은 PR 소재와 회사마다 다를 것입니다. 정상파 효과(Standing Wave).. 2021. 1. 3.
1-7 Expose(3)_해상도 개선 기술 1-7 Expose(3)_해상도 개선 기술 CMP, 단파장, immersion(액침노광), PSM, OPC 저번 글에서 Trade-off관계에 있는 Resoluton, DOF에 대해 공부했습니다. 이번에는 이러한 해상도를 개선하는 기술들을 공부해 보겠습니다. Resolution = k1*(파장/NA), DOF = k2*(파장/NA^2) Resolution은 작을수록 좋고, DOF는 클수록 좋으므로 이 공식 관점에서 살펴보겠습니다. CMP CMP는 반도체 8대공정 중 하나입니다. Chemical Mechanical Polishing의 약자로 wafer위 울퉁불퉁한 표면을 평평하게 해주는 기술입니다. 이게 왜 Expose에 나왔을까요? DOF와 관련이 있기 때문입니다. DOF는 wafer의 수직방향으로의 해.. 2021. 1. 2.
1-6 Expose(2)_NA, DOF, Resolution photolithography(포토리소그래피) 공정_Expose(2) Expose(2)_NA, DOF, Resolution 바로 이전 글에서 Expose공정 시 렌즈의 크기가 Na와 관련되어 있고 더 큰 렌즈를 사용해야 한다고 했습니다. 그 이유에 대해 알아보겠습니다. 본격적으로 들어가기 전 빛의 성질인 회절에 대해 알아보겠습니다. 기초물리학의 Young의 이중슬릿 실험은 아래와 같습니다. 위 그림에서 monochromatic planar wave가 빛, screen with two slit이 Mask. optical screen이 Wafer라고 생각해 보겠습니다. *실제 Mask는 저거보다 틈이 매우 많은 복잡한 회로로 구성이 되어 있습니다. 빛이 Mask를 통과할 때 Cr으로 막은 부분을 제외한 틈에.. 2021. 1. 1.